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SIHF16N50C-E3

SIHF16N50C-E3

SIHF16N50C-E3

MOSFET N-CH 500V 16A TO220

non conforme

SIHF16N50C-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1,000 $3.57280 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 500 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 16A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 380mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 68 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1900 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 38W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220 Full Pack
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

SCTW35N65G2VAG
IPD60R360P7ATMA1
DMP2066LDM-7
HUF75229P3
AO4403
FDMT800152DC
FDMT800152DC
$0 $/morceau
FCPF600N60Z
IPB70N10S312ATMA1
SIS406DN-T1-GE3
STF4LN80K5
STF4LN80K5
$0 $/morceau

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