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SIHF30N60E-GE3

SIHF30N60E-GE3

SIHF30N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 29A TO220

non conforme

SIHF30N60E-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $6.78000 $6.78
10 $6.05000 $60.5
100 $4.96100 $496.1
500 $4.01720 $2008.6
1,000 $3.38800 -
3,000 $3.21860 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 29A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 125mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 130 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2600 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 37W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur -
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

MMDF6N02HDR2
MMDF6N02HDR2
$0 $/morceau
AO4268
ISZ040N03L5ISATMA1
BUK6C2R1-55C,118
DMN601WK-7
DMN601WK-7
$0 $/morceau
FDC3535
FDC3535
$0 $/morceau
IRFP054NPBF
FDP2552
FDP2552
$0 $/morceau
PMPB09R5VPX
PMPB09R5VPX
$0 $/morceau
FQPF2N50

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