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SIHF7N60E-GE3

SIHF7N60E-GE3

SIHF7N60E-GE3

MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220

non conforme

SIHF7N60E-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1,000 $1.16955 -
2,000 $1.09365 -
5,000 $1.05570 -
10,000 $1.03500 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 680 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 31W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220 Full Pack
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

FDS8876
FDS8876
$0 $/morceau
PSMN5R6-100XS,127
PSMN5R6-100XS,127
$0 $/morceau
AOB1608L
ISL9N327AD3ST
IRFH8307TRPBF
AOT284L
IXFH14N60P
IXFH14N60P
$0 $/morceau
PMN70XP115
PMN70XP115
$0 $/morceau

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