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SIHG105N60EF-GE3

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SIHG105N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

non conforme

SIHG105N60EF-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $4.53000 $4.53
500 $4.4847 $2242.35
1000 $4.4394 $4439.4
1500 $4.3941 $6591.15
2000 $4.3488 $8697.6
2500 $4.3035 $10758.75
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 29A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 102mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 53 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1804 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 208W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AC
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

NVMFS4C03NWFT1G
NVMFS4C03NWFT1G
$0 $/morceau
IRFHM9331TRPBF
IXKH35N60C5
IXKH35N60C5
$0 $/morceau
IXTA96P085T-TRL
IXTA96P085T-TRL
$0 $/morceau
IRFP3006PBF
SI3417DV-T1-GE3
SI6423DQ-T1-E3
SI6423DQ-T1-E3
$0 $/morceau

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