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SIHG11N80AE-GE3

SIHG11N80AE-GE3

SIHG11N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 8A TO247AC

compliant

SIHG11N80AE-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $2.89000 $2.89
500 $2.8611 $1430.55
1000 $2.8322 $2832.2
1500 $2.8033 $4204.95
2000 $2.7744 $5548.8
2500 $2.7455 $6863.75
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 800 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 450mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 804 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 78W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AC
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

IRFZ44VPBF
STL10N65M2
STL10N65M2
$0 $/morceau
AOI538
BUK7507-55B,127
BUK7507-55B,127
$0 $/morceau
SI2323CDS-T1-BE3
NVTYS004N03CLTWG
NVTYS004N03CLTWG
$0 $/morceau
ZXMN6A08GQTC
STB130N6F7
STB130N6F7
$0 $/morceau
IRFU4615PBF

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