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SIHG15N60E-GE3

SIHG15N60E-GE3

SIHG15N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 15A TO247AC

compliant

SIHG15N60E-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $3.67000 $3.67
10 $3.28100 $32.81
100 $2.69020 $269.02
500 $2.17842 $1089.21
1,000 $1.83722 -
2,500 $1.74536 -
5,000 $1.67974 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 15A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 280mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 78 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1350 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 180W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AC
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

R6024VNX3C16
R6024VNX3C16
$0 $/morceau
CSD16325Q5
CSD16325Q5
$0 $/morceau
SI3458BDV-T1-BE3
IPL65R1K5C6SATMA1
NTDV20N06LT4G-VF01
NTDV20N06LT4G-VF01
$0 $/morceau
CSD13380F3
CSD13380F3
$0 $/morceau
IXFR4N100Q
IXFR4N100Q
$0 $/morceau
FQB33N10TM
FQB33N10TM
$0 $/morceau
2SK2512-AZ
PJS6421_S1_00001

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