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SIHG17N80AE-GE3

SIHG17N80AE-GE3

SIHG17N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC

non conforme

SIHG17N80AE-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $3.27000 $3.27
500 $3.2373 $1618.65
1000 $3.2046 $3204.6
1500 $3.1719 $4757.85
2000 $3.1392 $6278.4
2500 $3.1065 $7766.25
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 800 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 15A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 290mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 62 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1260 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 179W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AC
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

IPA60R210CFD7XKSA1
IRFPG40PBF
IRFPG40PBF
$0 $/morceau
RSH065N06GZETB
BSS340NWH6327XTSA1
DMP4015SK3Q-13
RSJ650N10TL
RSJ650N10TL
$0 $/morceau
FCH165N60E
FCH165N60E
$0 $/morceau
IPP45N06S4L08AKSA2
DMT15H067SSS-13
NVMFS5C673NT1G
NVMFS5C673NT1G
$0 $/morceau

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