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SIHG17N80E-GE3

SIHG17N80E-GE3

SIHG17N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC

non conforme

SIHG17N80E-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $5.99000 $5.99
10 $5.35200 $53.52
100 $4.38820 $438.82
500 $3.55340 $1776.7
1,000 $2.99684 -
2,500 $2.84700 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 800 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 15A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 290mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 122 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2408 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 208W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AC
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

BSZ0704LSATMA1
FDBL9406-F085T6
FDBL9406-F085T6
$0 $/morceau
FDB9403L-F085
NTD20N03L27-1G
NTD20N03L27-1G
$0 $/morceau
NTD4809NA-1G
NTD4809NA-1G
$0 $/morceau
R6007ENJTL
R6007ENJTL
$0 $/morceau
SQ3425EV-T1_BE3
DMP2067LSS-13
IPA60R299CPXKSA1

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