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SIHG186N60EF-GE3

SIHG186N60EF-GE3

SIHG186N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 8.4A TO247AC

compliant

SIHG186N60EF-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $3.65000 $3.65
500 $3.6135 $1806.75
1000 $3.577 $3577
1500 $3.5405 $5310.75
2000 $3.504 $7008
2500 $3.4675 $8668.75
453 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8.4A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 193mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1081 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 156W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AC
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

STF24N60M2
STF24N60M2
$0 $/morceau
AONR21307
C3M0120100J
C3M0120100J
$0 $/morceau
IRF6678TRPBF
MMDF2N05ZR2
MMDF2N05ZR2
$0 $/morceau
IXTQ22N60P
IXTQ22N60P
$0 $/morceau
IPB035N08N3GATMA1
NTD4302T4G
NTD4302T4G
$0 $/morceau
RCX080N25
RCX080N25
$0 $/morceau

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