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SIHG21N60EF-GE3

SIHG21N60EF-GE3

SIHG21N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

compliant

SIHG21N60EF-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $4.95000 $4.95
10 $4.42200 $44.22
100 $3.62600 $362.6
500 $2.93620 $1468.1
1,000 $2.47632 -
2,500 $2.35250 -
118 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 21A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 176mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 84 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2030 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 227W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AC
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

SIA110DJ-T1-GE3
AON7318
IRF9510STRLPBF
IRF9510STRLPBF
$0 $/morceau
IXFP12N65X2
IXFP12N65X2
$0 $/morceau
FQD17N08LTM
BUK7S0R7-40HJ
BUK7S0R7-40HJ
$0 $/morceau
IXFP20N50P3M
IXFP20N50P3M
$0 $/morceau
SIR5102DP-T1-RE3

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