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SIHG22N50D-GE3

SIHG22N50D-GE3

SIHG22N50D-GE3

MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC

non conforme

SIHG22N50D-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $5.37000 $5.37
10 $4.79700 $47.97
100 $3.93320 $393.32
500 $3.18490 $1592.45
1,000 $2.68607 -
2,500 $2.55176 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 500 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 22A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 230mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 98 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1938 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 312W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AC
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

PSMN4R6-100XS,127
PSMN4R6-100XS,127
$0 $/morceau
BSB044N08NN3GXUMA1
SI1480DH-T1-BE3
IXTH76P10T
IXTH76P10T
$0 $/morceau
IXTP26P20P
IXTP26P20P
$0 $/morceau
FQPF6N60C
AOTF20N40L
FDBL0210N80
FDBL0210N80
$0 $/morceau
IPB100N04S2L03ATMA2
PJD6NA40_R2_00001

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