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SIHG22N60AE-GE3

SIHG22N60AE-GE3

SIHG22N60AE-GE3

MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC

non conforme

SIHG22N60AE-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $4.44000 $4.44
10 $3.96000 $39.6
100 $3.24720 $324.72
500 $2.62944 $1314.72
1,000 $2.21760 -
2,500 $2.10672 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 20A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 96 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1451 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 179W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AC
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

PHP18NQ10T,127
IRL1404ZSTRLPBF
FDN304PZ
FDN304PZ
$0 $/morceau
RM6005AR
RM6005AR
$0 $/morceau
PSMN2R8-40PS,127
SIR588DP-T1-RE3
STL15N60M2-EP
APT12040JVR
SI4368DY-T1-GE3

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