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SIHG22N60E-GE3

SIHG22N60E-GE3

SIHG22N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

non conforme

SIHG22N60E-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $5.09000 $5.09
10 $4.56000 $45.6
100 $3.76800 $376.8
500 $3.08160 $1540.8
1,000 $2.62400 -
2,500 $2.50080 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 21A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 86 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1920 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 227W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AC
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

RF4E070GNTR
RF4E070GNTR
$0 $/morceau
STO47N60M6
STO47N60M6
$0 $/morceau
FDMS8050
FDMS8050
$0 $/morceau
TP2522N8-G
TP2522N8-G
$0 $/morceau
IXFH50N60P3
IXFH50N60P3
$0 $/morceau
STB8N90K5
STB8N90K5
$0 $/morceau
IPD70R1K4P7SAUMA1
2SK1317-E
IRFP22N60KPBF
IRFP22N60KPBF
$0 $/morceau
FQI5N80TU

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