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SIHG22N60EF-GE3

SIHG22N60EF-GE3

SIHG22N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC

compliant

SIHG22N60EF-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $4.45000 $4.45
500 $4.4055 $2202.75
1000 $4.361 $4361
1500 $4.3165 $6474.75
2000 $4.272 $8544
2500 $4.2275 $10568.75
474 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 19A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 182mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 96 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1423 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 179W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AC
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

IRFR7740TRPBF
DIT095N08
DIT095N08
$0 $/morceau
DMN3009LFVW-7
SIHL630STRL-GE3
NVMFS4C01NT1G
NVMFS4C01NT1G
$0 $/morceau
IPS70R950CEAKMA1
PMZB290UNE2YL
PMZB290UNE2YL
$0 $/morceau
STP5NK50Z
STP5NK50Z
$0 $/morceau
AOB286L
STW58N65DM2AG

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