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SIHG24N65E-E3

SIHG24N65E-E3

SIHG24N65E-E3

MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

non conforme

SIHG24N65E-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
500 $4.23720 $2118.6
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 24A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 145mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 122 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2740 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 250W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AC
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

CSD13383F4
CSD13383F4
$0 $/morceau
FDMT800150DC
FDMT800150DC
$0 $/morceau
IXKN75N60C
IXKN75N60C
$0 $/morceau
FDBL86363-F085
FDBL86363-F085
$0 $/morceau
DMN24H11DS-7
SI7636DP-T1-E3
SI7636DP-T1-E3
$0 $/morceau
PMN20EN,115
PMN20EN,115
$0 $/morceau
TP65H035WSQA
TP65H035WSQA
$0 $/morceau
MCH3406-TL-E
MCH3406-TL-E
$0 $/morceau

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