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SIHG33N60EF-GE3

SIHG33N60EF-GE3

SIHG33N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC

compliant

SIHG33N60EF-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
500 $4.87350 $2436.75
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 33A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 98mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 155 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3454 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 278W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AC
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

IRF840BPBF
IRF840BPBF
$0 $/morceau
SI7155DP-T1-GE3
PMV100ENEAR
PMV100ENEAR
$0 $/morceau
IPI04N03LA
IRL1404ZSPBF
STF12N65M2
STF12N65M2
$0 $/morceau
IXFA56N30X3
IXFA56N30X3
$0 $/morceau
SI2328DS-T1-BE3
SI2366DS-T1-GE3
EKI06075
EKI06075
$0 $/morceau

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