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SIHG47N60AE-GE3

SIHG47N60AE-GE3

SIHG47N60AE-GE3

MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC

non conforme

SIHG47N60AE-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $8.57000 $8.57
10 $7.71500 $77.15
100 $6.34310 $634.31
500 $5.31448 $2657.24
1,000 $4.62875 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 43A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 65mOhm @ 24A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 182 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3600 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 313W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AC
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

SQJ423EP-T1_BE3
FDPF10N60NZ
FDPF10N60NZ
$0 $/morceau
RQ5E025ATTCL
RQ5E025ATTCL
$0 $/morceau
RM3416
RM3416
$0 $/morceau
APT84M50B2
APT84M50B2
$0 $/morceau
IRL630SPBF
IRL630SPBF
$0 $/morceau
SQJQ148ER-T1_GE3
R6020KNX
R6020KNX
$0 $/morceau
SQD50N04-5M6_GE3

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