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SIHG47N60AEF-GE3

SIHG47N60AEF-GE3

SIHG47N60AEF-GE3

MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC

compliant

SIHG47N60AEF-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $9.16000 $9.16
500 $9.0684 $4534.2
1000 $8.9768 $8976.8
1500 $8.8852 $13327.8
2000 $8.7936 $17587.2
2500 $8.702 $21755
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 40A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 70mOhm @ 23.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 189 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3576 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 313W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AC
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

HUF75545P3
HUF75545P3
$0 $/morceau
IPP120N10S403AKSA1
STL325N4LF8AG
APT75F50L
APT75F50L
$0 $/morceau
NVMFS6H836NWFT1G
NVMFS6H836NWFT1G
$0 $/morceau
PJP3NA50_T0_00001
HUF76437S3ST
SPD30N03S2L-20G

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