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SIHG70N60AEF-GE3

SIHG70N60AEF-GE3

SIHG70N60AEF-GE3

MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC

compliant

SIHG70N60AEF-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $12.74000 $12.74
10 $11.62700 $116.27
100 $9.95840 $995.84
500 $8.56822 $4284.11
1,000 $7.90097 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 60A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 41mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 410 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 5348 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 417W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AC
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

DMN60H080DS-13
2N7002W
2N7002W
$0 $/morceau
BSS138KT-TP
BSS138KT-TP
$0 $/morceau
ZXMP10A18KTC
G3R350MT12J
SIHP17N60D-E3
SIHP17N60D-E3
$0 $/morceau
SI2316BDS-T1-GE3
IPB80N08S207ATMA1
NDD03N60Z-1G
NDD03N60Z-1G
$0 $/morceau
FDP55N06
FDP55N06
$0 $/morceau

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