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SIHG73N60AE-GE3

SIHG73N60AE-GE3

SIHG73N60AE-GE3

MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC

compliant

SIHG73N60AE-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $13.10000 $13.1
10 $11.83300 $118.33
100 $9.81030 $981.03
500 $8.29398 $4146.99
1,000 $7.28308 -
216 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 60A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 40mOhm @ 36.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 394 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 5500 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 417W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AC
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

BUK954R8-60E,127
BUK954R8-60E,127
$0 $/morceau
IRF6645TRPBF
VP2450N8-G
VP2450N8-G
$0 $/morceau
BSS214NWH6327XTSA1
2SK2624LS-CD11
2SK2624LS-CD11
$0 $/morceau
NTGD3133PT1H
NTGD3133PT1H
$0 $/morceau
AOD8N25
NTMFS5C604NLT1G
NTMFS5C604NLT1G
$0 $/morceau
MT9M131C12STC-MI-DR
MT9M131C12STC-MI-DR
$0 $/morceau
SQ4005EY-T1_GE3

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