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SIHG80N60E-GE3

SIHG80N60E-GE3

SIHG80N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC

non conforme

SIHG80N60E-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $13.67000 $13.67
10 $12.48000 $124.8
100 $10.68920 $1068.92
500 $9.19708 $4598.54
1,000 $8.48084 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 80A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 30mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 443 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 6900 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 520W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AC
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

SI2315BDS-T1-GE3
PMT280ENEAX
PMT280ENEAX
$0 $/morceau
AUIRFR3710ZTRL
RQ6E045TNTR
RQ6E045TNTR
$0 $/morceau
NVMFS6H801NLT1G
NVMFS6H801NLT1G
$0 $/morceau
NTMT095N65S3H
NTMT095N65S3H
$0 $/morceau
IXFN300N10P
IXFN300N10P
$0 $/morceau
IPB120N04S404ATMA1
STD24N06LT4G
STD24N06LT4G
$0 $/morceau

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