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SIHP12N60E-BE3

SIHP12N60E-BE3

SIHP12N60E-BE3

MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

compliant

SIHP12N60E-BE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $2.82000 $2.82
500 $2.7918 $1395.9
1000 $2.7636 $2763.6
1500 $2.7354 $4103.1
2000 $2.7072 $5414.4
2500 $2.679 $6697.5
1000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 12A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs 380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 58 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 937 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 147W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220AB
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

SCTW90N65G2V
SCTW90N65G2V
$0 $/morceau
SIHB24N65EFT1-GE3
MCQ05N15-TP
MCQ05N15-TP
$0 $/morceau
PSMNR60-25YLHX
HUFA75307D3ST
RF6C055BCTCR
RF6C055BCTCR
$0 $/morceau
2SK3004
2SK3004
$0 $/morceau
IPB65R095C7ATMA2
NTTFS5116PLTWG
NTTFS5116PLTWG
$0 $/morceau
STN1NF20
STN1NF20
$0 $/morceau

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