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SIHP21N60EF-GE3

SIHP21N60EF-GE3

SIHP21N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB

compliant

SIHP21N60EF-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $4.43000 $4.43
10 $3.95200 $39.52
100 $3.24040 $324.04
500 $2.62396 $1311.98
1,000 $2.21298 -
3,000 $2.10233 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 21A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 176mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 84 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2030 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 227W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220AB
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

DMNH10H028SK3Q-13
IXTP2R4N120P
IXTP2R4N120P
$0 $/morceau
SI2301BDS-T1-BE3
BUK662R5-30C,118
DMP2110U-7
DMP2110U-7
$0 $/morceau
RE1C002ZPTL
RE1C002ZPTL
$0 $/morceau
FDB7030BLS
IXFH60N60X3
IXFH60N60X3
$0 $/morceau

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