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SIHP6N80AE-GE3

SIHP6N80AE-GE3

SIHP6N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 5A TO220AB

compliant

SIHP6N80AE-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.77000 $1.77
500 $1.7523 $876.15
1000 $1.7346 $1734.6
1500 $1.7169 $2575.35
2000 $1.6992 $3398.4
2500 $1.6815 $4203.75
980 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 800 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 5A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs 950mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 22.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 422 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 62.5W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220AB
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

C3M0045065D
C3M0045065D
$0 $/morceau
SIHS90N65E-GE3
SIHS90N65E-GE3
$0 $/morceau
ZVN2110ASTZ
ZVN2110ASTZ
$0 $/morceau
STP5N105K5
STP5N105K5
$0 $/morceau
APT12057JFLL
C3M0016120K
C3M0016120K
$0 $/morceau
STW88N65M5
STW88N65M5
$0 $/morceau
RM35N30DN
RM35N30DN
$0 $/morceau
IMW120R220M1HXKSA1
IRF7406PBF

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