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SIHU7N60E-GE3

SIHU7N60E-GE3

SIHU7N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 7A IPAK

compliant

SIHU7N60E-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.87615 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 680 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 78W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-251AA
paquet / étui TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Numéro de pièce associé

PMN55ENEAX
PMN55ENEAX
$0 $/morceau
SIB457EDK-T1-GE3
SQSA70CENW-T1_GE3
PSMN8R5-100PSQ
SI4634DY-T1-E3
SI4634DY-T1-E3
$0 $/morceau
SQM120N10-09_GE3
FQD3N30TF
FQU1N50TU
MCU45P03A-TP

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