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SIHW23N60E-GE3

SIHW23N60E-GE3

SIHW23N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD

compliant

SIHW23N60E-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 23A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 158mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 95 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2418 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 227W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AD
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

IPP80N04S3-03
IXFK180N07
IXFK180N07
$0 $/morceau
IRLR8103VTRRPBF
IRF7420
IRF7420
$0 $/morceau
NVMFS5C604NLWFT1G
NVMFS5C604NLWFT1G
$0 $/morceau
BUK6226-75C,118
2SK3048
AO3418L
2N7002D87Z

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