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SIHW33N60E-GE3

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SIHW33N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 33A TO247AD

non conforme

SIHW33N60E-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $7.39000 $7.39
10 $6.60000 $66
480 $4.88400 $2344.32
960 $3.96000 $3801.6
1,440 $3.69600 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 33A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 99mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3508 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 278W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AD
paquet / étui TO-3P-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

AOB4S60L
ZXMN4A06GTA
ZXMN4A06GTA
$0 $/morceau
PH8030L,115
PH8030L,115
$0 $/morceau
BUK9M53-60EX
BUK9M53-60EX
$0 $/morceau
DI9956T
DI9956T
$0 $/morceau
PMPB10XNEAX
PMPB10XNEAX
$0 $/morceau
IRFR9014PBF
IRFR9014PBF
$0 $/morceau

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