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SIHW47N60EF-GE3

SIHW47N60EF-GE3

SIHW47N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD

compliant

SIHW47N60EF-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
500 $6.78590 $3392.95
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 47A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 65mOhm @ 24A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 225 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4854 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 379W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AD
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

FDB6030BL
IRFP32N50KPBF
IRFP32N50KPBF
$0 $/morceau
IPD90P04P405ATMA2
APT37F50S
APT37F50S
$0 $/morceau
IPA041N04NGXKSA1
FDZ299P
FDZ299P
$0 $/morceau
IRF1324PBF
IPI023NE7N3 G
SPD30P06PGBTMA1

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