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SIHW61N65EF-GE3

SIHW61N65EF-GE3

SIHW61N65EF-GE3

MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD

compliant

SIHW61N65EF-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $14.76000 $14.76
10 $13.42000 $134.2
480 $10.40050 $4992.24
960 $9.25980 $8889.408
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 64A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 47mOhm @ 30.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 371 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 7407 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 520W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AD
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

BSL606SNH6327XTSA1
DN2535N5-G
DN2535N5-G
$0 $/morceau
FDD86252
FDD86252
$0 $/morceau
APT50M75JLLU3
BSP225,115
BSP225,115
$0 $/morceau
BSZ520N15NS3GATMA1
2N7002T
2N7002T
$0 $/morceau
SUP40N25-60-E3
SUP40N25-60-E3
$0 $/morceau
IPL60R285P7AUMA1

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