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SIHW73N60E-GE3

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MOSFET N-CH 600V 73A TO247AD

non conforme

SIHW73N60E-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
500 $7.37036 $3685.18
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 73A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 39mOhm @ 36A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 362 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 7700 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 520W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AD
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

IPA60R060C7XKSA1
HUFA76423D3ST
IPB010N06NATMA1
IRFS3306TRLPBF
RQ5L015SPTL
RQ5L015SPTL
$0 $/morceau
2SK1421
2SK1421
$0 $/morceau
ISC019N03L5SATMA1
BSZ018NE2LSIATMA1
BSS138BWAHZGT106
IRFR1205TRPBF

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