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SIJH440E-T1-GE3

SIJH440E-T1-GE3

SIJH440E-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8

compliant

SIJH440E-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,000 $1.36310 -
6,000 $1.31580 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 200A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 0.96mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 195 nC @ 4.5 V
vgs (max) +20V, -16V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 20330 pF @ 20 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 158W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 8 x 8
paquet / étui PowerPAK® 8 x 8
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Numéro de pièce associé

BSC028N06NSATMA1
DMN3020UFDF-7
R6504KNJTL
R6504KNJTL
$0 $/morceau
FDS2734
FDS2734
$0 $/morceau
BSP122,115
BSP122,115
$0 $/morceau
PH2230DLS115
PH2230DLS115
$0 $/morceau
IPD60R600P7SAUMA1

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