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SIR438DP-T1-GE3

SIR438DP-T1-GE3

SIR438DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

compliant

SIR438DP-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.99855 -
6,000 $0.96390 -
261 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 25 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 60A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 105 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4560 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 5.4W (Ta), 83W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8
paquet / étui PowerPAK® SO-8
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Numéro de pièce associé

IXTK110N20L2
IXTK110N20L2
$0 $/morceau
VN0606L-G-P003
IXFK210N30X3
IXFK210N30X3
$0 $/morceau
BSC082N10LSGATMA1
HUFA75343G3
PJA3463_R1_00001
NVH4L015N065SC1
NVH4L015N065SC1
$0 $/morceau
FDPF5N60NZ
FDPF5N60NZ
$0 $/morceau
SQJA76EP-T1_GE3

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