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SIR462DP-T1-GE3

SIR462DP-T1-GE3

SIR462DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

compliant

SIR462DP-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.55760 -
6,000 $0.53142 -
15,000 $0.51272 -
28175 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 30A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 7.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1155 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8
paquet / étui PowerPAK® SO-8
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Numéro de pièce associé

STB45N60DM2AG
DMN53D0LQ-13
AOT280A60L
PMN55LN,135
PMN55LN,135
$0 $/morceau
AOT280L
IPD95R2K0P7ATMA1
IXFK200N10P
IXFK200N10P
$0 $/morceau
FDP8896
FDP8896
$0 $/morceau
FQP17P10
FQP17P10
$0 $/morceau

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