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SIR494DP-T1-GE3

SIR494DP-T1-GE3

SIR494DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8

compliant

SIR494DP-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.15000 $1.15
500 $1.1385 $569.25
1000 $1.127 $1127
1500 $1.1155 $1673.25
2000 $1.104 $2208
2500 $1.0925 $2731.25
11 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 12 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 60A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 6900 pF @ 6 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8
paquet / étui PowerPAK® SO-8
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Numéro de pièce associé

STH140N6F7-2
STH140N6F7-2
$0 $/morceau
FDU6512A
IXTH88N30P
IXTH88N30P
$0 $/morceau
SIE874DF-T1-GE3
MTB15N06V
MTB15N06V
$0 $/morceau
STF12NK60Z
STF12NK60Z
$0 $/morceau
AO3401
FDB8453LZ
BSO051N03MSGXUMA1

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