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SIR514DP-T1-RE3

SIR514DP-T1-RE3

SIR514DP-T1-RE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

compliant

SIR514DP-T1-RE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $2.07000 $2.07
500 $2.0493 $1024.65
1000 $2.0286 $2028.6
1500 $2.0079 $3011.85
2000 $1.9872 $3974.4
2500 $1.9665 $4916.25
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 20.8A (Ta), 84.8A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 7.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 5.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 47 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2550 pF @ 50 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 5W (Ta), 83.3W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8
paquet / étui PowerPAK® SO-8
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Numéro de pièce associé

R8002ANX
R8002ANX
$0 $/morceau
NVMFS5C646NLWFAFT3G
NVMFS5C646NLWFAFT3G
$0 $/morceau
AUIRF7647S2TR
STP95N4F3
STP95N4F3
$0 $/morceau
PSMN4R1-60YLX
PSMN4R1-60YLX
$0 $/morceau
TP2640LG-G
TP2640LG-G
$0 $/morceau
FQD7N10LTM
FQD7N10LTM
$0 $/morceau
MCH6337-TL-H
MCH6337-TL-H
$0 $/morceau

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