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SIR664DP-T1-GE3

SIR664DP-T1-GE3

SIR664DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

compliant

SIR664DP-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.54022 -
6,000 $0.51485 -
15,000 $0.49674 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 60A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs 6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1750 pF @ 30 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement -
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8
paquet / étui PowerPAK® SO-8
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Numéro de pièce associé

STD16N60M6
STD16N60M6
$0 $/morceau
HUF75329D3ST
HUF75329D3ST
$0 $/morceau
IPA60R080P7XKSA1
BSP125H6433XTMA1
IPP200N15N3GXKSA1
STD70N10F4
STD70N10F4
$0 $/morceau
IPP020N08N5AKSA1
PSMN2R7-30BL,118
FDPF16N50T
FDPF16N50T
$0 $/morceau

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