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SIRA28BDP-T1-GE3

SIRA28BDP-T1-GE3

SIRA28BDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 18A/38A PPAK SO8

compliant

SIRA28BDP-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.21227 -
6,000 $0.19858 -
15,000 $0.18488 -
30,000 $0.17530 -
752 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 18A (Ta), 38A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 7.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 582 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.8W (Ta), 17W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8
paquet / étui PowerPAK® SO-8
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Numéro de pièce associé

BUK766R0-60E,118
RSS100N03FRATB
R6009JNXC7G
R6009JNXC7G
$0 $/morceau
ZXMP6A16KTC
ZXMP6A16KTC
$0 $/morceau
PSMN6R9-100YSFX
FCPF1300N80Z
FCPF1300N80Z
$0 $/morceau
PSMN3R5-30YL,115
FDD6796
FDD6796
$0 $/morceau
CSD17573Q5BT
CSD17573Q5BT
$0 $/morceau
VMO1200-01F
VMO1200-01F
$0 $/morceau

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