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SIRA58DP-T1-GE3

SIRA58DP-T1-GE3

SIRA58DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

compliant

SIRA58DP-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.56908 -
6,000 $0.54236 -
15,000 $0.52328 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 60A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 2.65mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3750 pF @ 20 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 27.7W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8
paquet / étui PowerPAK® SO-8
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Numéro de pièce associé

FDP6030L
NTD4809N-1G
NTD4809N-1G
$0 $/morceau
PSMN3R0-30YL,115
AUIRF4905S
IRLR110TRPBF
IRLR110TRPBF
$0 $/morceau
AOD21357
IXTY02N50D
IXTY02N50D
$0 $/morceau
APT6015LVRG
PJW5N10_R2_00001
MCH6421-TL-W
MCH6421-TL-W
$0 $/morceau

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