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SIRC04DP-T1-GE3

SIRC04DP-T1-GE3

SIRC04DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

compliant

SIRC04DP-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.84956 -
6,000 $0.82008 -
1028 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 60A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 2.45mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 56 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2850 pF @ 15 V
fonctionnalité FET Schottky Diode (Body)
puissance dissipée (max) 50W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8
paquet / étui PowerPAK® SO-8
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Numéro de pièce associé

PHK12NQ03LT,518
BSZ050N03MSGATMA1
NTMFS4836NT1G
NTMFS4836NT1G
$0 $/morceau
EPC2055
EPC2055
$0 $/morceau
STP80N10F7
STP80N10F7
$0 $/morceau
RM6N800HD
RM6N800HD
$0 $/morceau
IQE013N04LM6CGATMA1
AON6572
STF5N60M2
STF5N60M2
$0 $/morceau
CSD18531Q5AT
CSD18531Q5AT
$0 $/morceau

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