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SIRC18DP-T1-GE3

SIRC18DP-T1-GE3

SIRC18DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

compliant

SIRC18DP-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.60291 -
6,000 $0.57277 -
15,000 $0.55123 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 60A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.1mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 111 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 5060 pF @ 15 V
fonctionnalité FET Schottky Diode (Body)
puissance dissipée (max) 54.3W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8
paquet / étui PowerPAK® SO-8
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Numéro de pièce associé

NVMFS5C682NLWFAFT3G
NVMFS5C682NLWFAFT3G
$0 $/morceau
STB75N06HDT4
STB75N06HDT4
$0 $/morceau
IRL520PBF-BE3
IRL520PBF-BE3
$0 $/morceau
IXTN240N075L2
IXTN240N075L2
$0 $/morceau
BUK6C3R3-75C,118
FQB30N06LTM
FQB30N06LTM
$0 $/morceau
IRFH8201TRPBF
SIHB120N60E-T5-GE3
SIHK185N60E-T1-GE3

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