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SIS176LDN-T1-GE3

SIS176LDN-T1-GE3

SIS176LDN-T1-GE3

N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE

non conforme

SIS176LDN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.98000 $0.98
500 $0.9702 $485.1
1000 $0.9604 $960.4
1500 $0.9506 $1425.9
2000 $0.9408 $1881.6
2500 $0.931 $2327.5
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 70 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 3.3V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 10.9mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.6V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 19 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1660 pF @ 35 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.6W (Ta), 39W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8
paquet / étui PowerPAK® 1212-8
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Numéro de pièce associé

BUK964R2-55B,118
IRFH8325TRPBF
IRLMS6802TRPBF
RFP70N03
RFP70N03
$0 $/morceau
NVMFS6H800NLT1G
NVMFS6H800NLT1G
$0 $/morceau
DMTH8028LPSW-13
NTMFS5C430NT3G
NTMFS5C430NT3G
$0 $/morceau
FDD86569-F085
FDD86569-F085
$0 $/morceau
PMT200EN,115
PMT200EN,115
$0 $/morceau

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