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SIS178LDN-T1-GE3

SIS178LDN-T1-GE3

SIS178LDN-T1-GE3

N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE

compliant

SIS178LDN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.97000 $0.97
500 $0.9603 $480.15
1000 $0.9506 $950.6
1500 $0.9409 $1411.35
2000 $0.9312 $1862.4
2500 $0.9215 $2303.75
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 70 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 13.9A (Ta), 45.3A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 9.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 28.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1135 pF @ 35 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.6W (Ta), 39W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8
paquet / étui PowerPAK® 1212-8
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Numéro de pièce associé

IPA030N10NF2SXKSA1
FDD6670S
STH175N4F6-6AG
MMIX1F360N15T2
MMIX1F360N15T2
$0 $/morceau
IRFR5505TRLPBF
BS870Q-7-F
BS870Q-7-F
$0 $/morceau
NVTFS6H850NWFTAG
NVTFS6H850NWFTAG
$0 $/morceau
IPB60R045P7ATMA1
FDD6030BL

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