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SIS407ADN-T1-GE3

SIS407ADN-T1-GE3

SIS407ADN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8

compliant

SIS407ADN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.38222 -
6,000 $0.35742 -
15,000 $0.34502 -
30,000 $0.33825 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 18A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.8V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 9mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 168 nC @ 8 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 5875 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8
paquet / étui PowerPAK® 1212-8
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Numéro de pièce associé

AON7534
GT650N15K
GT650N15K
$0 $/morceau
BUK78150-55A/CUF
STF13N60DM2
STF13N60DM2
$0 $/morceau
IXTA12N50P
IXTA12N50P
$0 $/morceau
DMP2065U-13
DMP2065U-13
$0 $/morceau
FQPF17N08
IXTK600N04T2
IXTK600N04T2
$0 $/morceau
IXTN46N50L
IXTN46N50L
$0 $/morceau
IXFP22N65X2
IXFP22N65X2
$0 $/morceau

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