Welcome to ichome.com!

logo
Maison

SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8

compliant

SIS412DN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.25425 -
6,000 $0.23775 -
15,000 $0.22950 -
30,000 $0.22500 -
46576 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 12A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 24mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 435 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8
paquet / étui PowerPAK® 1212-8
Le chargement du PDF a échoué, vous pouvez essayer de l'ouvrir dans une nouvelle fenêtre pour y accéder [Ouvrir], ou cliquez pour revenir

Numéro de pièce associé

STN1HNK60
STN1HNK60
$0 $/morceau
FDP038AN06A0
FDP038AN06A0
$0 $/morceau
DMP2305U-7
DMP2305U-7
$0 $/morceau
IPP052N06L3GXKSA1
DMN2022UFDF-13
IPA70R600P7SXKSA1
PSMN5R8-40YS,115
STD46P4LLF6
STD46P4LLF6
$0 $/morceau
AOT12N50

Votre partenaire fiable en électronique

Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.