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SIS472DN-T1-GE3

SIS472DN-T1-GE3

SIS472DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8

non conforme

SIS472DN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.30510 -
6,000 $0.28530 -
15,000 $0.27540 -
30,000 $0.27000 -
3000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 20A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 8.9mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 997 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.5W (Ta), 28W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8
paquet / étui PowerPAK® 1212-8
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Numéro de pièce associé

DMN3066L-7
DMN3066L-7
$0 $/morceau
IPP037N06L3GXKSA1
SQA405EJ-T1_GE3
DMN6040SVT-7
PJQ4401P_R2_00001
IPP50R399CPXKSA1
3LP01M-TL-H
3LP01M-TL-H
$0 $/morceau
FDMS3662
FDMS3662
$0 $/morceau
IXTT11P50
IXTT11P50
$0 $/morceau

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