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SIS476DN-T1-GE3

SIS476DN-T1-GE3

SIS476DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8

compliant

SIS476DN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.52360 -
6,000 $0.49742 -
15,000 $0.47872 -
15022 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 40A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 2.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 77 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3595 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8
paquet / étui PowerPAK® 1212-8
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Numéro de pièce associé

DMN53D0U-7
DMN53D0U-7
$0 $/morceau
IPD30N10S3L34ATMA1
IPP60R099C7XKSA1
SQJ174EP-T1_GE3
2N7002H6327XTSA2
STP7N105K5
STP7N105K5
$0 $/morceau
FDD3670
FDD3670
$0 $/morceau
IXFA5N100P-TRL
IXFA5N100P-TRL
$0 $/morceau

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