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SIS822DNT-T1-GE3

SIS822DNT-T1-GE3

SIS822DNT-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8

compliant

SIS822DNT-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
6,000 $0.12123 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 12A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 24mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 435 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 15.6W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8
paquet / étui PowerPAK® 1212-8
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Numéro de pièce associé

IXFA12N50P
IXFA12N50P
$0 $/morceau
FQU10N20CTU
FQU10N20CTU
$0 $/morceau
FDZ661PZ
FDZ661PZ
$0 $/morceau
PMX400UPZ
PMX400UPZ
$0 $/morceau
SIA416DJ-T1-GE3
AOT4N60
FDB016N04AL7
FDB016N04AL7
$0 $/morceau
STD4N90K5
STD4N90K5
$0 $/morceau

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