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SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK

compliant

SIS888DN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.77490 -
6,000 $0.73852 -
15,000 $0.71253 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 150 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 20.2A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 7.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 58mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 14.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 420 pF @ 75 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 52W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TA)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8S
paquet / étui PowerPAK® 1212-8S
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Numéro de pièce associé

IPW60R125P6XKSA1
BUK963R2-40B,118
FDS5670
FDS5670
$0 $/morceau
SQM50P04-09L_GE3
IXTY32P05T
IXTY32P05T
$0 $/morceau
IPB011N04LGATMA1
BUK7523-75A,127
BUK7523-75A,127
$0 $/morceau
SSU1N60BTU
RD3G07BATTL1
RD3G07BATTL1
$0 $/morceau
C3M0016120D
C3M0016120D
$0 $/morceau

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