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SISA04DN-T1-GE3

SISA04DN-T1-GE3

SISA04DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8

compliant

SISA04DN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.59040 -
6,000 $0.56268 -
15,000 $0.54288 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 40A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 2.15mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 77 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3595 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8
paquet / étui PowerPAK® 1212-8
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Numéro de pièce associé

STD64N4F6AG
STD64N4F6AG
$0 $/morceau
FDB4020P
NTP095N65S3H
NTP095N65S3H
$0 $/morceau
IPLK60R600PFD7ATMA1
SQW61N65EF-GE3
SQW61N65EF-GE3
$0 $/morceau
STP5NK52ZD
STP5NK52ZD
$0 $/morceau
IXTA270N04T4
IXTA270N04T4
$0 $/morceau
IPI90R800C3XKSA1
STY105NM50N
STY105NM50N
$0 $/morceau

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