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SISA10BDN-T1-GE3

SISA10BDN-T1-GE3

SISA10BDN-T1-GE3

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE

compliant

SISA10BDN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.95000 $0.95
500 $0.9405 $470.25
1000 $0.931 $931
1500 $0.9215 $1382.25
2000 $0.912 $1824
2500 $0.9025 $2256.25
6050 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 26A (Ta), 104A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 3.6mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 36.2 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1710 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.8W (Ta), 63W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8
paquet / étui PowerPAK® 1212-8
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Numéro de pièce associé

SQJ418EP-T1_BE3
NDS351AN
NDS351AN
$0 $/morceau
DMT3008LFDF-7
SIHLR120-GE3
SIHLR120-GE3
$0 $/morceau
IPP093N06N3GXKSA1
STL17N65M5
STL17N65M5
$0 $/morceau
SIHG30N60E-GE3
SIHG30N60E-GE3
$0 $/morceau
DMP3056L-13
DMP3056L-13
$0 $/morceau
STP19NF20
STP19NF20
$0 $/morceau
IXTH20N65X
IXTH20N65X
$0 $/morceau

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